企业简介
杭州士兰集成电路有限公司 main business:生产集成电路 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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杭州士兰集成电路有限公司的工商信息
- 330198000036661
- 913301017265863549
- 存续
- 其他有限责任公司
- 2001年01月12日
- 陈向东
- 60000.000000
- 2001年01月12日 至 9999年09月09日
- 杭州市市场监督管理局经济技术开发区分局
- 2018年02月11日
- 杭州经济技术开发区10号大街（东）308号
- 制造：集成电路、半导体、分立器件（在许可证的有效期内经营）。 销售：集成电路、半导体、分立器件；本企业自产产品及技术的出口业务；经营本企业生产、科研所需的原辅材料、机械设备、仪器仪表、零配件及技术的进出口业务（国家限定公司经营和国家禁止进出口的商品及技术除外）；经营进料加工和“三来一补”业务。
杭州士兰集成电路有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 杭州士兰集成电路有限公司 | http://www.silanic.com.cn/ |
杭州士兰集成电路有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106229406A | 集成型磁开关及其制造方法 | 2016.12.14 | 本发明提供了一种集成型磁开关及其制造方法，通过半导体工艺将磁电阻条制作于ASIC电路上，由此可以极大 |
| 2 | CN106115602A | MEMS器件及其制造方法 | 2016.11.16 | 公开了一种MEMS器件包括：基底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于基底上，具有第二空腔；振动隔膜层，振 |
| 3 | CN101635174A | 一种将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法及应用 | 2010.01.27 | 本发明提供了一种将OTP存储器版图修改为ROM存储器版图的方法，其特征在于在OTP版图中将需要烧录击 |
| 4 | CN103633128B | 双极NPN晶体管及其制造方法 | 2016.07.20 | 本发明提供了一种双极NPN晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电 |
| 5 | CN105931955A | 沟槽功率器件及制作方法 | 2016.09.07 | 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二 |
| 6 | CN106024697A | 沟槽功率器件及制作方法 | 2016.10.12 | 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形 |
| 7 | CN205508777U | 半导体器件 | 2016.08.24 | 公开了半导体器件。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底的第一表面形成阱区，半导体衬底和阱区分别 |
| 8 | CN205752104U | 平面栅功率器件结构 | 2016.11.30 | 本实用新型提供了一种平面栅功率器件结构，在栅极材料层侧壁形成侧墙，减小栅源失效的风险。另外，通过光刻 |
| 9 | CN106115607A | MEMS器件及其制造方法 | 2016.11.16 | 公开了一种MEMS器件及其制造方法。所述MEMS器件包括：基底；多晶埋层，位于所述基底上，所述多晶埋 |
| 10 | CN205789987U | 沟槽功率器件 | 2016.12.07 | 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽、 |
| 11 | CN106181766A | 定位结构及硅片加工设备 | 2016.12.07 | 公开了一种定位结构及硅片加工设备，主要解决现有技术中存在的定位结构通用性差的问题。该定位结构包括：载 |
| 12 | CN206123435U | 定位结构及硅片加工设备 | 2017.04.26 | 公开了一种定位结构及硅片加工设备，主要解决现有技术中存在的定位结构通用性差的问题。该定位结构包括：载 |
| 13 | CN106548938A | 半导体器件制作方法 | 2017.03.29 | 本发明提供了一种半导体器件制作方法，对硅衬底的背面进行离子辐照处理，以提升半导体器件的阳极杂质的激活 |
| 14 | CN206059436U | 集成型磁开关 | 2017.03.29 | 本实用新型提供了一种集成型磁开关，包括：ASIC电路；形成于所述ASIC电路上的第一介质层；形成于所 |
| 15 | CN103559967B | 贴片式无源电子元件安装结构和方法 | 2017.03.29 | 本发明涉及贴片式无源电子元件安装结构和方法。本发明的具有端子的贴片式无源电子元件的安装结构包括：载体 |
| 16 | CN206017139U | 抽真空系统 | 2017.03.15 | 公开了一种抽真空系统。所述抽真空系统包括：储液箱、液环真空泵、以及加液系统，其中，所述液环真空泵包括 |
| 17 | CN206014407U | MEMS器件 | 2017.03.15 | 一种MEMS器件，包括：基底；多晶埋层，位于所述基底上，所述多晶埋层图形化一个或多个多晶图形；牺牲层 |
| 18 | CN102931093B | N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法 | 2017.03.08 | 本发明提供一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法，所述制造方法包括，进行离子注入和退火工艺， |
| 19 | CN103824804B | 半导体沟槽结构的形成方法 | 2017.03.01 | 本发明提供了一种半导体沟槽结构的形成方法，所述半导体沟槽结构的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述 |
| 20 | CN104330196B | 空腔薄膜压阻式压力传感器及其制造方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种空腔薄膜压阻式压力传感器及其制造方法，该传感器包括：P型掺杂的硅衬底；形成于所述硅衬底 |
| 21 | CN205959959U | 抽真空系统 | 2017.02.15 | 公开了一种抽真空系统。所述抽真空系统包括：真空泵、真空缓冲罐、主真空管道、以及多个子真空管道，其中， |
| 22 | CN103646963B | 双极PNP晶体管及其制造方法 | 2017.02.08 | 本发明提供了一种双极PNP晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层 |
| 23 | CN205944060U | 沟槽功率器件 | 2017.02.08 | 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽， |
| 24 | CN106365104A | MEMS器件制造方法及MEMS器件 | 2017.02.01 | 本申请公开了MEMS器件制造方法及MEMS器件。所述方法包括：在衬底上形成结构层；在所述衬底上形成第 |
| 25 | CN205917019U | MEMS器件 | 2017.02.01 | 一种MEMS器件包括：基底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于基底上，具有第二空腔；振动隔膜层，振动隔膜 |
| 26 | CN106365106A | MEMS器件及其制造方法 | 2017.02.01 | 本申请公开了MEMS器件及其制造方法。所述MEMS器件包括：衬底；位于衬底上的MEMS传感器，所述M |
| 27 | CN205911312U | 沟槽功率器件 | 2017.01.25 | 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有 |
| 28 | CN205911311U | 沟槽功率器件 | 2017.01.25 | 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽， |
| 29 | CN205911313U | 沟槽功率器件 | 2017.01.25 | 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过将第一沟槽和第二沟槽顶部的栅 |
| 30 | CN205911285U | 沟槽功率器件 | 2017.01.25 | 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形 |
| 31 | CN205863136U | 沟槽功率器件 | 2017.01.04 | 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形 |
| 32 | CN205863138U | 槽栅功率器件 | 2017.01.04 | 本实用新型揭示了一种槽栅功率器件。本实用新型提供的一种槽栅功率器件，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有 |
| 33 | CN205863137U | 沟槽功率器件 | 2017.01.04 | 本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽， |
| 34 | CN205752105U | 一种平面栅功率器件 | 2016.11.30 | 本实用新型提供了一种平面栅功率器件，通过光刻和刻蚀工艺形成接触孔后，先进行P型区注入以及退火工艺形成 |
| 35 | CN106129114A | 沟槽功率器件及制作方法 | 2016.11.16 | 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过将沟槽中的所述栅 |
| 36 | CN106057681A | 沟槽功率器件及制作方法 | 2016.10.26 | 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形 |
| 37 | CN106024636A | 槽栅功率器件及制作方法 | 2016.10.12 | 本发明揭示了一种槽栅功率器件及其制作方法。本发明提供的一种槽栅功率器件及制作方法，通过将沟槽中的所述 |
| 38 | CN106024898A | 沟槽功率器件及制作方法 | 2016.10.12 | 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过将第一沟槽和第二 |
| 39 | CN106024701A | 沟槽功率器件及制作方法 | 2016.10.12 | 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形 |
| 40 | CN106024696A | 沟槽功率器件及制作方法 | 2016.10.12 | 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形 |
| 41 | CN106024609A | 沟槽功率器件及制作方法 | 2016.10.12 | 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二 |
| 42 | CN106024595A | 平面栅功率器件结构及其形成方法 | 2016.10.12 | 本发明提供了一种平面栅功率器件结构及其形成方法，在栅极材料层侧壁形成侧墙，减小栅源失效的风险。另外， |
| 43 | CN105931970A | 一种平面栅功率器件结构及其形成方法 | 2016.09.07 | 本发明提供了一种平面栅功率器件结构及其形成方法，通过光刻和刻蚀工艺形成接触孔后，先进行P型区注入以及 |
| 44 | CN205542795U | 一种恒流二极管结构 | 2016.08.31 | 本实用新型提供了一种恒流二极管结构，在N型外延层中增设P型发射区，N型源区、P型栅极区、N型外延层、 |
| 45 | CN104064605B | 一种双向触发二极管芯片及其制作方法 | 2016.08.17 | 本发明提供一种双向触发二极管芯片及其制作方法，利用双极型晶体管的发射极与基极串联电阻后，集电极与发射 |
| 46 | CN205376538U | 恒流二极管结构 | 2016.07.06 | 本实用新型提供了一种恒流二极管结构，在P型衬底正面上形成P型外延层，在P型外延层中形成N型基区，在N |
| 47 | CN103337492B | 减少熔丝尖刺的修调结构及其制造方法 | 2016.06.29 | 本发明提供一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括半导体衬底；介质层；形成于介质层上的修调熔丝具有一修调电阻 |
| 48 | CN103594467B | 集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法 | 2016.06.22 | 本发明提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底 |
| 49 | CN105609569A | 恒流二极管结构及其形成方法 | 2016.05.25 | 本发明提供了一种恒流二极管结构及其形成方法，在P型衬底正面上形成P型外延层，在P型外延层中形成N型基 |
| 50 | CN105609419A | 半导体器件及其制造方法 | 2016.05.25 | 公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底的第一表面形成阱区，半导体衬 |
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